Intel se olvidará del silicio para llegar a chips de 7 nm

Intel se olvidará del silicio para llegar a chips de 7 nm

Durante esta semana se está celebrando la ISSCC o Conferencia Internacional de Circuitos de Estado Sólido. Allí Intel ha informado de algo importante y sin precedentes: La compañía abandonará el silicio para llegar a la fabricación de chips de 7 nm.

Se espera que los primeros chips de este nuevo proceso de fabricación de 10 nm lleguen entre finales de 2016 y principios de 2017

Para conseguir este reto, Intel debe abandonar el silicio y, aunque no han dado pistas del material que utilizarán para su creación, se utilizaría un semiconductor III-V como el arseniuro de galio indio (InGaAs), según el medio Ars Technica.

ISSCC 2015 es la Conferencia donde se reúnen todas las compañías que trabajan con el silicio para hablar, debatir y presentar las novedades en los últimos procesos de fabricación de chips. El objetivo es conseguir crear chips cada vez más pequeños y rápidos. 

Ya en el paso a los 14 nm, Intel se encontró con problemas en el proceso de fabricación lo que se tradujo en un retraso en los plazos de lanzamiento de Broadwell. El principal contratiempo es que resultaba muy difícil hacer más pequeño el chip con el silicio como material protagonista.

Esto pone en precedente a la compañía que ahora asume el objetivo de seguir reduciendo el tamaño hasta llegar a los 7 nm.

Otra de las novedades que podrían afrontar en Intel sería la de prescindir de litografía EUV en los procesadores de 10 nm. y 7 nm.

Se abre así un nuevo horizonte en el segmento de la fabricación de chips. Antes de 2020 podríamos asistir al lanzamiento de procesadores sin el silicio como el material protagonista.