Un nuevo material para ordenadores y smartphones más rápidos
Un grupo de ingenieros de la Universidad de Utah en Estados Unidos ha descubierto un nuevo material muy fino que podría emplearse para fabricar dispositivos electrónicos mucho más rápidos, como ordenadores y smartphones.
Se trata de un compuesto semiconductor que presenta las propiedades eléctricas del silicio. Está fabricado a base de monóxido de estaño, es bidimensional y tiene un espesor de tan sólo un átomo, lo que hace posible que los electrones se muevan a través de él a una velocidad mucho mayor en comparación con el silicio u otros materiales en 3D.
De acuerdo con los investigadores, el nuevo material es perfecto para la fabricación de transistores con los que elaborar procesadores para ordenadores, chips gráficos y los componentes de otros dispositivos móviles.
En la actualidad, estos elementos están hechos de materiales tridimensionales, como el silicio, que se distribuyen en varias capas sobre un sustrato de vidrio. Sin embargo, esta arquitectura tiene el inconveniente de que los electrones rebotan en el interior de las capas.
El transistor más pequeño del mundo se compone de una molécula y átomos
Los avances en la ingeniería de materiales de los últimos años han permitido descubrir que los materiales en 2D, como el grafeno, el borofeno o el disulfuro de molibdeno, facilitan el movimiento de los electrones porque sólo se aplica una capa de uno o dos átomos de espesor. "Los electrones sólo pueden moverse en una capa, por lo que es mucho más rápido", asegura Ashutosh Tiware, director del equipo.
El problema de los compuestos bidimensionales con los que se había trabajado hasta ahora es que sólo permiten el movimiento tipo N o negativo. Para fabricar un dispositivo electrónico también hace falta un semiconductor que permita el movimiento de electrones negativos con cargas positivas o tipo P, y el monóxido de estaño es el primer material estable que lo soporta.
Por tanto, el nuevo compuesto llena un vacío importante en la aceleración de la electrónica. Gracias a este descubrimiento, será posible la fabricación de transistores más pequeños y hasta 100 veces más rápidos que los actuales, que además podrán funcionar de forma más eficiente y a una menor temperatura.
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