Samsung empieza a producir chips de memoria DRAM HBM2 de 4G

Siguiendo en su línea de ofrecer soluciones innovadoras de memoria y almacenamiento, Samsung ha anunciado que va a comenzar la producción en masa de sus nuevos chips de memoria DRAM HBM2 de 4 GB, especialmente destinados a la fabricación de tarjetas gráficas de nueva generación. 

La compañía surcoreana va a comenzar a producir módulos de memoria de alto ancho de banda de segunda generación, conocidos como HBM2 por sus siglas en inglés (HBM, High Bandwidth Memory). 

Los módulos de DRAM se fabricarán en 20 nanómetros utilizando una tecnología eficiente desarrollada por la marca, así como un diseño avanzado y optimizado de HBM.

Para su creación, se apilan cuatro capas de núcleos de 8 GB y se interconectan verticalmente mediante TSV. Esta tecnología permite construir chips tridimensionales y ofrece muchos más puntos de conexión, lo que proporciona una mejora notable en el rendimiento de la transmisión de datos en comparación con los módulos tradicionales. 

De acuerdo con Samsung, estos chips tienen un ancho de banda de 256 Gbps, lo que supone el doble que el de un chip HBM1. Además, su velocidad de transferencia de datos es siete veces mayor que la de los módulos DRAM GDDR5 de 4 GB, que cuentan con  un ancho de banda de 36 Gbps.

El resultado es una memoria que puede presumir de un alto rendimiento, eficiencia energética y una gran fiabilidad, todo ello con unas dimensiones reducidas.

Gracias a sus interesantes características y prestaciones, la DRAM HBM2 se puede adaptar a los sistemas de computación de alto rendimiento o HPC de próxima generación. Está especialmente recomendada para optimizar el rendimiento de las GPUs, y además su tecnología permitirá reducir el tamaño de las tarjetas gráficas en un 95%.

Samsung también ha confirmado que más adelante en este mismo año tiene pensado iniciar la producción de chips DRAM HBM2 de 8 GB.

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