Fósforo negro, un material que puede competir con el grafeno
Os hemos hablado en multitud de ocasiones de la gran variedad de propiedades y ventajas que tiene el grafeno, que lo convierten en uno de los materiales más de moda, tanto por su potencial para revolucionar la electrónica moderna como por su versatilidad e infinidad de aplicaciones posibles.
Sin embargo, no es el único compuesto que presenta unas características interesantes para la electrónica. Hace unas semanas ya os hablábamos de porous, otro material conductivo con propiedades para almacenar energía. Ahora, un equipo de investigadores de distintas universidades también ha destacado el fósforo negro como posible rival para este compuesto milagro.
Los expertos ya se habían percatado de las características del fósforo negro como elmento para utilizar en aplicaciones electrónicas. Hasta hace poco, el problema residía en que era muy complicado obtener en grandes cantidades, pero esta dificultad se resolvió a principios de año cuando investigadores del Trinity Collegue de Dublin en Irlanda encontraron un método para producirlo en masa.
Ahora, un equipo de químicos de la Universidad Técnica de Múnich ha desarrollado una nueva técnica que permite elaborar un material que combina arsénico y fósforo negro, un compuesto que comparte con el grafeno la característica de ser muy fino con tan solo un átomo de grosor. Por tanto, resulta muy interesante para la miniaturización de los componentes electrónicos y tiene propiedades ópticas y conductivas.
Estos científicos, en colaboración con investigadores de la Universidad de Ratisbona en Alemania y las universidades de Yale y Sur de California en EE.UU. han fabricado un transistor con este material semiconductor. Su producción requiere menos energía y los costes más bajos que en el caso del grafeno, por lo que se puede presentar como un importante rival.
En cuanto a sus aplicaciones, puede emplearse para la fabricación de una amplia gama de sensores y transistores, así como en dispositivos semiconductores flexibles.
[Fuente: EurekAlert!]
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