Skip to main content

HP y Sandisk prometen una memoria 1.000 veces más rápida

HP y Sandisk desarrollan memoria de almacenamiento de clase ultrarrápida

Víctor Pérez

13/10/2015 - 13:57

La carrera por desarrollar una memoria de almacenamiento de clase (SCM) eficiente y barata tiene dos nuevos actores. HP y Sandisk entran en escena anunciando que trabajan conjuntamente en una tecnología según prometen 1.000 veces más rápida que el almacenamiento flash convencional para competir con la memoria 3D Xpoint que desarrollan de forma conjunta Intel y Micro.

Hace un par de meses Intel y Micron anunciaban el desarrollo de una tecnología de memoria no volátil que esperan llegue a ser fabricada a lo largo de 2016 para comenzar a implantarse en dispositivos a finales de ese mismo año. Al parecer, la velocidad de escritura y funcionamiento serían hasta 1.000 veces más rápida que las memorias flash, además equipadas con mayor durabilidad.

HP presenta su nueva gama de PCs premium ENVY y Spectre

Ahora, unas pocas horas después del anuncio de la compra de EMC por parte de Dell, otros dos gigantes como HP y Sandisk entran al campo de batalla. Lo hacen de forma conjunta, ya que han anunciado que también trabajan en la búsqueda de la memoria de almacenamiento de clase -SCM por sus siglas en inglés- definitiva llamada a revolucionar la informática de la próxima década.

Por el momento se trata más de una teoría que de una realidad, difícil trasladar esta tecnología a un terreno práctico a un precio que resulte realmente interesante para los fabricantes. De todas formas, parece que más temprano que tarde la memoria de almacenamiento de clase reemplazará las memorias convencionales volátiles de alta velocidad -DRAM y SRAM- ya que al ser no volátil la información que manejan no se pierde al interrumpir el flujo eléctrico.

Esto se traduce en que las memorias de almacenamiento de clase combinarán beneficios de las memorias de estado sólido como el alto rendimiento y la solidez con la capacidad de almacenamiento y el bajo coste de los discos duros magnéticos. 

No parece, ni mucho menos, un camino sencillo. De hecho las primeras especificaciones de la tecnología 3D Xpoint de Intel y Micron apuntan a que la velocidad será inferior a la memoria DRAM, aunque el precio por bit será algo menor. HP y Sandisk prometen mejorar esa relación, aunque todavía es demasiado pronto para hablar de ganadores y perdedores.

NVMe, un estándar para SSDs muy rápido... ¿demasiado rápido?

Ambas compañías llevan años trabajando por su cuenta en el desarrollo de memorias más eficientes. HP, de hecho, ha experimentado a fondo con un tipo bautizado como memristor, mientras Sandisk hasta ahora ha investigado con ReRam.

A partir de ahora HP y Sandisk trabajan de forma conjunta para desarrollar la memoria de almacenamiento de clase del futuro, que en teoría será 1.000 veces más rápida que las memorias convencionales. La batalla está servida.

[Fuente: ArsTechnica]

Ver ahora:

Sobre el autor

user Víctor Pérez

Editor de Tecnología en Business Insider

Acostumbrado a 'cacharrear' desde que tengo uso de razón. Apasionado por el mundo del I+D y por las últimas tendencias de Internet.

Te recomendamos