Logo Computerhoy.com

Material para fabricar chips de memoria de nueva generación

Material para fabricar chips de memoria de nueva generación
Ingenieros del MIT han creado un material de película delgada cuyas caracerísticas son ideales para la fabricación de los chips de memoria de nueva generación.

Dos ingenieros del Instituto Tecnológico de Massachusetts (MIT) han creado un material de película delgada con el que podrían fabricarse los chips de memoria de nueva generación.

El compuesto, llamado cobaltite estroncio, se caracteriza por tener la capacidad de cambiar de metálico a semiconductor, y viceversa, cuando se le aplica un pequeño voltaje. De este modo su configuración cambia cuando se expone a la corriente, y la conserva hasta que vuelve a someterse a una descarga. 

La estructura de un material se debe a su composición, temperatura y presión. Estos ingenieros han demostrado por primera vez que la electricidad puede producir una transición de fase en el material, modificando sus átomos de oxígeno.

Este cambio de configuración en la estructura molecular del elemento se produce dependiendo de la concentración de oxígeno. En caso de que sea elevada, adquiere una estructura de tipo jaula herméticamente cerrada, dando lugar a una perovskita, que es el mineral que se emplea habitualmente para la fabricación de células solares. 

Si, por le contrario, no hay mucho oxígeno, la estructura se abre y se produce una brownmillerita, que se trata de otro tipo de mineral de la clase de los óxidos. Las dos formas tienen diferentes propiedades químicas, eléctricas, físicas y magnéticas.

Material chip memoria

El cobaltite estroncio es un ejemplo de óxido de metales de transición. Las propiedades de este material lo convierten en un candidato perfecto para la producción de un nuevo chip de memoria no volátil, ultra rápido y de alta eficiencia energética, que puede conservar la información incluso cuando está apagado.

G.Skill lanza un kit de RAM DDR4 de 128 GB a 3.000 MHz

"Nuestro trabajo es una contribución fundamental porque introduce el sesgo eléctrico como un nuevo método para controlar la fase de un material activo, y por sentar las bases científicas para el desarrollo de este tipo de dispositivos de procesamiento de energía e información", asegura el profesor Bilge Yildiz.

Además, los investigadores también consideran que se podría utilizar en aplicaciones catalíticas para la separación de gases, así como en la conversión de energía.

Descubre más sobre , autor/a de este artículo.

Conoce cómo trabajamos en Computerhoy.

Etiquetas: Memoria, Chip, MIT