Resistive RAM, memorias de 1TB en un sólo chip
Inés Pérez
Crossbar Inc., una startup californiana prácticamente desconocida en el mercado, ha anunciado una nueva forma de tecnología de almacenamiento revolucionaria que ha bautizado como Resistive Ram (RRAM).
La RRAM permite desarrollar una memoria no volátil de mayor capacidad y alto rendimiento, capaz de almacenar hasta 1TB de datos en un chip de apenas 200 milímetros cúbicos, más pequeño que un sello postal. Además, gracias a su estructura de tres capas, los chips RRAM se pueden apilar y adaptar para formar un paquete 3D de chips con múltiples terabytes de memoria.
De acuerdo a Crossbar, cada chip RRAM tendrá un desempeño 20 veces más rápido, un consumo de energía 20 veces más bajo y 10 veces más resistencia, en comparación con las memorias flash NAND más avanzadas disponibles hoy día.
Estas características podrían resultar desastrosas para el mercado de memorias flash tradicionales. La tecnología flash se encuentra al centro del mercado de electrónica, y se usa en todo: desde iPhone, a tablets y hasta cámaras digitales.
Según la empresa, la tecnología está lista para ser llevada a producto utilizando las plantas de fabricación ya existentes. Para demostrarlo, la empresa produjo un prototipo en una fábrica de chips estándar que combina tanto un controlador CMOS monolítico como la matriz de memoria.
La empresa ha registrado más de 30 patentes relacionadas al RRAM y ahora busca conceder licencias a varias compañías como diseñadores de Sistema sobre Chips (System on Chips) y productores independientes.
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