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El transistor más fino del mundo tiene 3 átomos de espesor

El transistor más fino del mundo tiene 3 átomos de espesor
Un equipo de investigadores de la Cornell University ha descubierto un método para producir el transistor más fino del mundo, de solo tres átomos de espesor. 

Un equipo de investigadores de la Cornell University ha descubierto un nuevo proceso para producir el transistor más fino del mundo, de tan solo tres átomos de espesor

La clave de este descubrimiento, cuyos resultados han sido publicados en nature.com, reside en que los dispositivos están hechos de un material experimental conocido como dichalcogenides de metal de transición (TMD por sus siglas en inglés).

Este compuesto es una película muy delgada, de sólo unos pocos átomos de espesor, pero de alta conductividad. Sus propiedades lo convierten en un material muy útil para la fabricación de células solares, detectores de luz, semiconductores y todo tipo de aplicaciones tecnológicas, como los dispositivos portátiles flexibles. 

Este avance podría significar una verdadera revolución para la electrónica. Los fabricantes de chips modernos ya están llegando al límite de densidad para los chips de silicio, lo que ha llevado a algunos a predecir el final de la Ley de Moore.

Sin embargo, el TMD proporcionaría un sustrato estable y compacto para que los ingenieros pudiesen incorporar un número cada vez mayor de circuitos, haciendo posible la electrónica a escala nanométrica

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El problema con el TMD reside en que, al tener sólo tres átomos de espesor, el material sufre una alta tasa de rotura y su producción es complicada y ardua. Y es precisamente aquí donde entra el descubrimiento del equipo de la Cornell University. 

El nuevo método desarrollado por estos investigadores mezcla diethylsulfide con un compuesto de metal hexacarbonilo sobre una oblea de silicio, hornea la combinación resultante a 550 ºC durante 26 horas en presencia de gas de hidrógeno. Esta técnica que ha demostrado ser mucho más eficaz para evitar la rotura del material

Tanto es así, que de un lote de 200 transistores creados para el estudio, sólo dos no han servido, por lo que tiene una tasa de éxito del 99%. Con estos resultados tan positivos, el equipo de investigación espera poder agilizar el proceso de fabricación, así como mejorar la consistencia de la película resultante. 

La tecnología sigue estando todavía a un par de años de poder comercializarse, pero cuando salga al mercado, podremos estar al comienzo de una nueva era de productos electrónicos ultra-finos y súper-poderosos

[Fuente: The Verge]

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Etiquetas: Electrónica