Los problemas de almacenamiento de los smartphones podrían estar a punto de solucionarse por completo, más pronto de lo que imaginábamos.

Los smartphones actuales poseen 16 o 32 GB de memoria interna de almacenamiento. En breve, esta capacidad podría aumentar hasta los 1024 GB (1 TB), sin incrementar significativamente el consumo de bateria.

El milagro es posible gracias a la memoria RAM resistiva (RRAM), basada en el óxido de silicio.

La memoria RRAM fue inventada hace cinco años. Su teoría es sencilla. La memoria resistiva se basa en introducir un material dielétrico (que no conduce la electricidad) entre dos materiales conductores. Cuando se suministra el suficiente voltaje a los dos conductores, se crea un pequeño puente de electricidad en el material dielétrico.

La presencia o ausencia de dicho puente se corresponde con el 0 o el 1 binario de la informática, y como puede crearse o anularse las veces que se quiera, se puede utilizar como memoria RAM, para almacenar información.

La memoria RRAM es el futuro de la informática porque es más rápida que la actual, y tiene más capacidad. Un chip dememoria RRAM de 1 TBocupa el equivalente a un sello de correos, así que podría usarse en dispositivos móviles, como un smartphone o una tablet.

Su gran ventaja es que el material dielétrico que emplea es el óxido de silicio, el elemento más abundante de la Tierra, que se usa para fabricar chips. Por tanto su implementación sería relativamente sencilla y barata, con los métodos convencionales.

Hasta ahora, la memoria RRAM era difícil de fabricar, pero científicos de la Universidad de Rice (Estados Unidos) han conseguido idear un método para fabricarla a temperatura ambiente y con tecnología existente, cumpliendo todos los requisitos para su fabricación en masa. La noticia nos llega vía Engadget.

La clave para conseguir este importante logro ha sido usar óxido de silicio poroso, en cuyos poros se insertan ciertos metales, como oro o platino. Con esta nueva técnica la memoria RRAM consume mucho menos, dura 100 veces más, se calienta menos, y es capaz de almacenar hasta 9 bits por celda. La memoria Flash RAM usada actualmente en los smartphones sólo almacena 3 bits por celda.

El resultado es un chip de memoria RRAM de 1 TBde capacidad sencillo y relativamente barato de fabricar, con los métodos convencionales.

Los investigadores han confirmado que en 15 días cerrarán un trato con un gran fabricante de telefonía. Así que el smartphone con 1 TBde almacenamiento interno podría estar más cerca de lo que pensamos...