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La MRAM deja de ser una teoría tras su demostración en el mundo real: el hito es de Samsung

DRAM Samsung

Samsung se convierte en la primera marca del mundo en demostrar la tecnología MRAM para la computación en memoria, lo que le coloca a la cabeza de una carrera tecnológica muy innovadora.

Samsung, el mayor fabricante de chips de memoria del mundo, ha anunciado que se ha convertido en el primero del mundo en demostrar la tecnología MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory) para la informática en memoria.

La investigación fue fruto de la colaboración entre el SAIT (Samsung Advanced Institute of Technology), Samsung Foundry y Samsung Semiconductor R&D. Y la importancia de este hito es tal que el estudio se ha publicado en la prestigiosa revista científica Nature.

Normalmente, los datos se almacenan en chips de memoria (DRAM) y son procesados por una CPU o un AP (Application Processor). Sin embargo, el almacenamiento de datos y la computación se realizan en el mismo chip con la computación en memoria.

Sede Samsung

Como no es necesario transferir los datos de la memoria al procesador y viceversa, se ahorra mucho tiempo. El procesamiento de datos dentro de la memoria se realiza de forma paralela, lo que supone un importante ahorro de energía.

Samsung afirma que la tecnología MRAM será ideal para campos como el del procesamiento de la inteligencia artificial.

Otras soluciones de computación en memoria como la PRAM (Phase-change Random Access Memory) y la RRAM (Resistive Random Access Memory) han sido demostradas en todo el mundo, pero la MRAM había sido difícil de probar, hasta ahora.

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A pesar de la naturaleza no volátil de la MRAM, su alta velocidad operativa y su resistencia, era difícil utilizarla para la computación en memoria debido a su baja resistencia. También era imposible utilizar la ventaja de la eficiencia energética de la MRAM en una arquitectura de computación en memoria estándar.

Ahora, Samsung ha creado una solución al problema gracias a su nueva arquitectura innovadora. La empresa surcoreana ha desarrollado un chip de matriz MRAM que utiliza la suma de resistencia en lugar de la suma de corriente estándar.

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La nueva solución contrarresta el problema de las pequeñas resistencias de los dispositivos MRAM individuales. La nueva computación MRAM de la empresa se probó ejecutando aplicaciones de IA, y ofreció un 98% de precisión en la clasificación de dígitos escritos a mano y un 93% en la detección de rostros en imágenes.

Samsung afirma que su nueva tecnología puede utilizarse para fabricar chips de IA de alta eficiencia energética.

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Etiquetas: RAM