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Samsung Galaxy S10 contaría con RAM LPDDR5 y memoria NAND UFS 3.0

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15/06/2018 - 15:05

Samsung podría empezar la producción en masa de chips de memoria RAM LPDDR5 y NAND UFS 3.0 en la segunda mitad de 2018. Así lo afirma en Twitter Ice Universe, una cuenta que tiene un largo historial de filtraciones acertadas de terminales de Samsung. Esto vendría a confirmar que, tal como se ha rumoreado, el Galaxy S10 sería el primer modelo de la marca en ofrecer soporte para LPDDR5 y UFS 3.0, con las mejoras en el rendimiento y la autonomía que estos componentes conllevan.

La memoria RAM LPDDR5 ofrecerá una mejora en el rendimiento de aproximadamente el 10% en comparación con su predecesora directa. Además, también tiene una eficiencia energética superior, por lo que su consumo es un 15% más bajo que los módulos LPDDR4.

En cuanto a la velocidad de datos, aunque el cambio no ha sido tan significativo como en la generación anterior, que duplicó las velocidades de DDR3, se espera que pase a ser de 3,6 Gbps por pin en lugar de los 3,2 Gbps por pin del estándar actual.

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Respecto a la memoria NAND UFS 3.0, destaca por ofrecer el doble de ancho de banda del estándar UFS 2.1, lo que le permite ser dos veces más rápida, y supone un gran avance en la velocidad de lectura y escritura. También ha mejorado la eficiencia energética y puede funcionar a temperaturas más altas. 

A través de su perfil de Twitter, Ice Universe afirma que Samsung va a iniciar la producción en masa de los chips LPDDR5 y UFS 3.0 en la segunda mitad de este 2018. Por tanto, teniendo en cuenta que los rumores apuntan que el Galaxy Note 9 será presentado el próximo mes de agosto, el primer móvil de Samsung en contar con estos componentes sería el Galaxy S10.

Además de estrenar chips de RAM y memoria NAND, también se espera que el Galaxy S10 sea el primer móvil de la marca en integrar lector de huellas dactilares bajo la pantalla, así como que cuente con un sistema de triple cámara y sensor 3D.

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