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Samsung comienza la producción en masa de las primeras memorias UFS 3.1 con 512 GB

UFS 3.1

18/03/2020 - 13:38

Samsung acaba de anunciar la puesta en marcha de la fabricación de las memorias más rápidas que se conocen en la industria de los móviles. Son las memorias del nuevo estándar UFS 3.1 más eficiente que el estándar anterior. 

"Con esta nueva solución de almacenamiento móvil más rápida, los usuarios de smartphones ya no tendrán que preocuparse por aquellos problemas que suelen aparecer con las tarjetas de almacenamiento convencionales" ha explicado Cheol Choi, vicepresidente ejecutivo de ventas y marketing de memoria en Samsung Electronics, en el comunicado.

A principios de este año se presentaba este nuevo estándar. El UFS 3.1 no cuenta con más ancho de banda que su predecesor. Es decir, el máximo seguirá siendo de 1.200 MB/s por canal con un total de 2.400 MB/s, pero hay diferentes añadidos para hacer que sean sistemas de almacenamiento flash más atractivos tanto para el usuario como para las compañías.

Samsung asegura que estas nuevas memorias cuentan con más del doble de velocidad que un ordenador basado en SATA (540 MB/s) y más de diez veces la velocidad de una tarjeta microSD UHS-I (90 MB/s). Dicho de otro modo, los móviles tendrán la velocidad de un ordenador portátil ultradelgado cuando almacenen archivos de gran tamaño como vídeos de 8K.

En comparación con el estándar anterior, Samsung ha calculado  que el sistema eUFS 3.1 de 512 GB procesa hasta un 60% más rápido y ofrece 100.000 operaciones de entrada/salida por segundo (IOPS) para lecturas y 70.000 IOPS para escrituras.

La compañía ofrecerá en sus próximos teléfonos, memorias de este tipo, de 512 GB y otras versiones de 256 GB y 128 GB. No ha indicado qué modelos serán los primeros en recibir esta novedad, pero sí explican que no será hasta finales de año cuando veamos un móvil Samsung con una tarjeta de estas características.

Además de estas mejoras, las memorias UFS 3.1 cuentan con avances como la función Write Booster para optimizar los datos de la memoria flash, así como la posibilidad de usar la tecnología Deep Sleep, un nuevo estado de bajo consumo.