Justo después del lanzamiento de los Samsung Galaxy S10, la marca coreana acaba de desvelar un componente clave de sus próximos smartphones premium. Se trata de un módulo de memoria RAM mejor y más veloz que otros que ha usado hasta ahora.

Su capacidad es de 12 GB y está construido en 10 nanómetros, aunque técnicamente Samsung llame de otra forma a este proceso. Es previsible que se convierta en el módulo de memoria del próximo Samsung Galaxy Note 10 en la segunda mitad del año, al menos en alguna de sus variantes.

Son 12 GB de RAM GPDDR4X, más que suficientes para hacer destacar a este móvil dentro de una gama alta que cada vez es más competitiva y que se encuentra inmersa en una carrera de especificaciones.

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Con una velocidad de lectura de 34,1 Gbps, se trata de un velocísimo módulo de memoria que puede marcar diferencias con respecto a la competencia, pero que sobre todo marcará un antes y un después dentro del catálogo de esta marca.

Según ha confirmado Samsung, ya se está produciendo de forma masiva y estará listo para la segunda mitad del año, justo a tiempo para el mencionado Note 10, que suele presentarse en octubre-noviembre.

Más que en velocidad o en capacidad, se espera que este nuevo módulo de RAM de Samsung destaque por eficiencia. A día de hoy el principal problema de los teléfonos móviles no es la falta de potencia, sino de autonomía. Por eso la solución pasa por optimizar al máximo el consumo energético de todos sus componentes.

La marca también confirma que estos 12 GB GPDDR4X de RAM se utilicen junto con los módulos de almacenamiento de 5123 GB UFS 3.0 que estrenaron hace poco, dando lugar a una "nueva era para los smartphones".