Samsung ha anunciado que va a comenzar a producir en masa el primer módulo de memoria RAM DDR4 TSV de 128 GB de la industria, desarrollado especialmente para servidores empresariales y centros de datos. 

Estos módulos emplean la tecnología Through Silicio Via o TSV, un sistema que utiliza vías de conexión verticales que atraviesan por completo tanto obleas de silicio como superficies individuales de circuitos integrados, lo que permite fabricar chips 3D, consiguiendo más almacenamiento en el mismo espacio. 

La compañía surcoreana ya introdujo esta tecnología en 2014 para la producción del módulo 3D TVS DDR4 DRAM de 64 GB. Con este nuevo producto, Samsung ofrece una mayor capacidad y un rendimiento energético más elevado que cualquiera de los chips DRAM que existen en la actualidad, además de proporcionar una gran velocidad y una fiabilidad excelente. 

Los módulos DDR4 RDIMM TVS de 128 GB se componen de un total de 144 fichas DDR4 dispuestos en 36 paquetes de 4 GB DRAM. Cada paquete contiene 4 chips de 8 GB y 20 nanómetros ensamblados con la tecnología TSV. El ensamblado tradicional se lleva a cabo a través de cable, mientras que en el sistema de conexión TSV utiliza cientos de perforaciones que permiten pasar a los electrodos y hacer más potente la señal de transmisión.

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Además, el nuevo módulo DDR4 TVS de 128 GB tiene un diseño especial que permite que el chip principal de cada paquete de 4 GB incorpore la función de búfer de datos, lo que hace posible la optimización tanto del rendimiento como del consumo de energía. 

Gracias a esto, la nueva solución de memoria de Samsung proporciona velocidades de hasta 2.400 Mbps con un consumo de energía un 50% más bajo en comparación con los módulos anteriores DRAM LRDIMMs de 64 GB, que tienen limitaciones de potencia y velocidad debidas a las conexiones con cable convencional. 

De momento, la corporación asiática no ha revelado cuál será el precio de los nuevos módulos de memoria, aunque podemos anticipar que no serán baratos debido a sus potentes características.