La búsqueda de una memoria más eficiente y económica se ha convertido en el desarrollo codiciado en el mundo de la tecnología. Para que te hagas una idea de por dónde se encamina todo, los dispositivos de memoria se dividen generalmente en dos categorías principales: la DRAM —Dynamic Random Access Memory— y la NAND —Not-AND— flash. 

La DRAM es rápida, pero volátil, lo que significa que pierde datos cuando se corta la energía, mientras que la NAND es más lenta, pero conserva los datos incluso cuando no hay alimentación eléctrica. El problema siempre ha sido encontrar una solución que combine la velocidad de la DRAM con la retención de datos de la NAND, y es aquí donde entra en juego la memoria de cambio de fase.

Contextualizando, es una tecnología que utiliza materiales que pueden cambiar de un estado a otro, generalmente de cristalino a amorfo, cuando se aplica electricidad. Lo que la hace tan atractiva es su capacidad para ofrecer tanto velocidad como no volatilidad.

Sin embargo, versiones anteriores de esta tecnología no lo han tenido fácil, especialmente en términos de consumo de energía. El equipo de investigadores del Instituto Avanzado de Ciencia y Tecnología de Corea (KAIST) se ha puesto manos a la obra para resolver estos puntos mediante el desarrollo de un dispositivo de memoria de cambio de fase de potencia ultrabaja. 

¿Más memoria RAM o una RAM más rápida?

El avance promete soluciones más baratas y energéticamente eficientes que reemplazarían lo que existe

"El dispositivo de memoria de cambio de fase que hemos desarrollado es importante, ya que ofrece un enfoque novedoso para resolver los problemas persistentes en la producción de un dispositivo de memoria con un coste de fabricación y una eficiencia energética muy mejorados", explica el profesor Shinhyun Choi de la Escuela de Ingeniería Eléctrica.

Lo que lo hace revolucionario es su capacidad para formar eléctricamente materiales de cambio de fase en un área extremadamente pequeña, lo que reduce el consumo de energía. Al final han conseguido hacer que este nuevo tipo de memoria sea más viable para su uso en dispositivos electrónicos, a la vez que la hace más económica de producir y usar.

En cuanto al potencial de esta tecnología, es inmenso. Además de por fin dar una solución más eficiente en términos de energía para la memoria de datos convencional, también podría abrir nuevas puertas en campos como la computación neuromórfica, un enfoque de la informática inspirado en el funcionamiento del cerebro humano, donde se utilizan redes de neuronas artificiales para realizar tareas de procesamiento de información. 

La capacidad de almacenar y procesar grandes cantidades de datos como nunca antes visto es fundamental para este tipo de computación, y la memoria de cambio de fase podría jugar un papel importante en su desarrollo futuro.